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LKSM5003NBI& LKSM5003NB

内置高机能 500V/3A MOSFET

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LKSM5003NBI内部集成高压预驱以及一颗高机能MOSFET。LKSM5003NB内部集成一颗 Bootstrap二极管以及一颗高机能 MOSFET。 LKSM5003NBI和LKSM5003NB 搭配使用，组成是一款半桥功率？，合用于直流无刷 BLDC 电机和永磁同步 PMSM 电机。LKSM5003NB的MOSFET的源极能够用于电流采样。输入端蕴含史女士触发器并且逻辑电平兼容 3.3V/5V/15V。 LKSM5003NBI选取HSOP7封装。LKSM5003NB选取 ESSOP6 封装。

优势

内置高机能 500V/3A MOSFET

内置 Bootstrap 二极管

对于负的瞬态电压拥有高鲁棒性

门极驱动电压领域支持 10V~20V

输入逻辑电平兼容 3.3V,5V 以及 15V

高侧和低侧均支持 UVLO

内置死区预防高低管直通

利用领域